實現高數值孔徑極紫外光(High NA EUV)的運算式微影解決方案

隨著新的製程節點特徵尺寸(feature size)和解析度(resolution)持續縮小，先進半導體光罩上的裝置密度和數量快速增加。極紫外光微影技術(Extreme Ultraviolet Lithography, EUV)已經成為半導體產業的關鍵技術，它不僅促進摩爾定律的發展，還能實現積體電路(IC)進一步微型化。

本白皮書說明並討論支援高數值孔徑極紫外光(EUV)微影技術的開發、最佳化和實作所需的運算需求。探討隨著高數值孔徑系統複雜性增加所帶來的相關挑戰，並提出潛在的解決方案，強調計算光刻在推動先進 EUV 光刻技術成功的重要性。

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