◆ アジェンダ 

13:00　ごあいさつ

日本シノプシス合同会社
社長　河原井 智之

13:05　Semiconductor WW Market and Business Trend

Synopsys, Inc.
Applications Engineering, Executive Director
GTM, Customer Success Group
Pankaj Aggarwal

13:35　W-2024.09 TCAD Updates

Synopsys, Inc.
Applications Engineering, Executive Director
GTM, Customer Success Group
Xi-Wei Lin

14:05　休憩

14:15　【招待講演】SiC MOSFETの性能向上に向けたMOSチャネル移動度モデルの構築

富山県立大学
工学部 電気電子工学科
教授　畠山 哲夫　様

SiC  MOS界面の移動度劣化メカニズムを、ホール効果測定とCV測定の実験結果を散乱理論で解析して解明し、広範な条件に適用可能なMOS反転層移動度のTCAD用物理モデルを開発しました。その詳細について、ご紹介します。

14:45　【ユーザー事例】IGBTにおける新しいターンオン電圧テール現象の解析とその対策構造D-CSLの検証

ルネサス エレクトロニクス株式会社
OPS/DTD/BDTD
主任技師　永久 克己　様

Cgcによるものではない新しいターンオン電圧テール現象が観測され、3D-TCADを用いて解析することで、この現象がIGBTセル内部での3次元的なキャリアの挙動に起因していることを見出しました。対策として、D-CSL構造を提案し、試作評価によりその有効性を示すことができました。その内容について、ご紹介します。

15:15　【ユーザー事例】トレンチ酸化膜中の局所固定電荷によるフィールドプレートMOSFETのオン抵抗-耐圧トレードオフの改善効果の検証

株式会社東芝 研究開発センター
先端デバイス研究所 電子デバイスラボラトリー
福田 大地　様

フィールドプレートMOSFETのオン抵抗-耐圧トレードオフの改善を目的として、トレンチ酸化膜中に局所的に固定電荷を導入する手法の検討を行いました。本講演ではシミュレーションおよびその結果を基にして行った実験データについてご紹介します。

15:45　コーヒーブレイク

16:05　【招待講演】xEV用パワー半導体実装における複合機能化とモデリング技術の最前線

名古屋大学 未来材料・システム研究所
名古屋大学大学院 工学研究科 電気工学専攻
教授　山本 真義　様

電動車に応用される車載用パワー半導体はそのモジュール技術においてセンサやスナバ等の電子部品が同時に実装される技術潮流を示し、さらにそれらの応用に対して熱、ノイズ、信頼性を含めたTCADを用いたモデリング設計技術をご紹介します。

16:35　【 ユーザー事例】SiCデバイスの耐湿性向上に向けた耐圧終端構造の設計

三菱電機株式会社 先端技術総合研究所
先進パワーデバイス技術部 新材料デバイスグループ
主席研究員　海老原 洪平　様

SiCデバイスは従来のSiデバイスと比べて高電界が加わることから、耐湿性への注目が高まっています。今回、SiCデバイスの耐圧終端領域の電界緩和設計を行うことで高温高湿環境下での劣化を抑制し、デバイスの長寿命化を実現しましたので、ご紹介します。

17:05　Power DTCO Update

Synopsys, Inc.
Applications Engineering, Sr Director
GTM, Customer Success Group
Ricardo Borges

17:35　セミナー終了

17:45　懇親会 (19:00終了)

※ プログラムは変更される場合がございます。ご了承ください。