直近のSoCデザインに利用できるFinFET対応のシリコン実証済みツールとIP
概要
2014年6月2日 カリフォルニア州マウンテンビュー発 - 半導体やエレクトロニクス・システムのイノベーションを加速させる開発用ソフトウェア、IP、技術サービスの世界的リーダーであるシノプシス(Synopsys, Inc.、Nasdaq上場コード:SNPS)は本日、サムスン社14nm FinFETプロセス認証済みの包括的な設計ソリューションならびにIPソリューションの提供開始を発表した。
シノプシスのGalaxyデザイン・プラットフォームとDesignWare IPは、サムスン社14nm FinFETプロセス・ベースの複数のSoCデザインを実現した実績を持っている。使用されたツールは、小面積/低消費電力・論理合成に優れたDesign Compiler、セル考慮のATPG を実行するTetraMAX、DPT考慮の14nm 配置配線ソリューション IC Compiler、高速フィジカル検証ソリューション IC Validator、高精度エレクトロマイグレーション/ IRドロップ解析ソリューション PrimeRail、3-D抽出ソリューション StarRC、3-D デバイス・シミュレータ HSPICEである。半導体 IPに関しては、両社の協業により、14nm FinFET プロセスのDesignWareインターフェイスIP、Embedded Memory IP、Logic Library の開発とテストチップ・テープアウトに成功している。一例が、前世代バージョンと比較して面積を最大50%削減できるDesignWare USB femtoPHYsである。このPHYは、サムスン社のプロセスでシリコン実証済みで、USB-IF(Implementers Forum)による準拠性テストにも合格している。
サムスン・エレクトロニクス社 ファウンドリ・マーケティング担当副社長 Dr. Shawn Hanは次のように語っている。「当社では、14nm FinFET プロセスの初期リサーチ段階から、シノプシス社と設計ツールならびに IP 開発に関して深い技術協力を行ってまいりました。この数年間にわたる協業の成果が、当社ファウンドリ顧客企業各社に最新FinFETプロセスがもたらすバリューを最大限にご活用いただくための今回のシリコン実証済みソリューションです。来年の年初には、革新的な14nm FinFET SoCが実現していることでしょう」
両社は、タイミング、ピン・アクセス性、ダブルパターニング対応配線ルール、タイミング・サインオフとの相関性、サムスン・ゴールデン・スクリプトやインプリメンテーションのバリデーションと各種 IPクオリフィケーションのための高精度なSPICEテストに向けライブラリ・クオリフィケーションでも協業している。
シノプシス デザイン・グループ マーケティング担当副社長 Bijan Kiani は次のように述べている。「当社とサムスン社は、両社共通のお客様に最新のプロセス・テクノロジで結果予測性の高いデザイン収束を可能にするソリューションをご提供するため、長年にわたって協業を重ねてまいりました。今回のFinFET 対応Galaxy デザイン・プラットフォームとDesignWare IPにより、設計者の皆様は、目まぐるしく変化するマーケットでの厳しい競合に勝ち抜くために必要な革新的製品の開発を加速することができるようになります」
シノプシスについて
Synopsys, Inc. (Nasdaq上場コード:SNPS) は、グローバル・エレクトロニクス・マーケットでテクノロジ・イノベーションを展開している。そのソフトウェア製品、IP、技術サービスは、エンジニアが直面する設計/検証/システム開発/製造の課題の解決を支援しており、シノプシスは電子設計自動化 (EDA) ならびに設計資産 (IP) のリーディング・カンパニーとなっている。1986年の創業以来、世界中のエンジニアがシノプシスのテクノロジを使用して、何十億もの半導体やシステム機器を設計開発している。詳細な情報は、http://www.synopsys.com/japanより入手可能。