ニュースリリース - 2014年6月4日-3

シノプシスとインテル、インテル・カスタム・ファウンダリ顧客向けの14nm Tri-Gateデザイン・プラットフォーム開発で協業

量産実績を持つ22nmプラットフォームを拡張し、クラウド・インフラ機器やモバイル機器のマーケット向けに14nmプラットフォームを提供

概要

• インテル社の第二世代Tri-Gateテクノロジ向けGalaxyデザイン・プラットフォームが、14nmデザインを最適化
  
• 14nm向けDesignWare Memory Compilerが、高い性能と低消費電力特性を実現
  
• シリコン実績を持つ22nm Tri-Gate設計ツールとIPをインテル 14nmプロセス向けに拡張
  

2014年6月3日 カリフォルニア州マウンテンビュー発 - 半導体やエレクトロニクス・システムのイノベーションを加速させる開発用ソフトウェア、IP、技術サービスの世界的リーダーであるシノプシス（Synopsys, Inc.、Nasdaq上場コード:SNPS）と、世界をリードするコンピューティング・イノベーション・カンパニーであるインテル（Intel Corporation、Nasdaq上場コード:INTC）は本日、インテル 14nm Tri-Gateプロセス・テクノロジを用いたデザインを実現するインテル・カスタム・ファウンダリ顧客向けソリューションを発表した。Intel Custom Foundry 14nmデザイン・プラットフォームは、シノプシスが業界をリードするGalaxyデザイン・プラットフォームとRTL to GDSⅡメソドロジ、高性能なDesignWare Memory Compiler IP、最先端の各種インターフェイスIPのサポートを開始する。インテルによる量産実績を持つ22nmファウンダリ・プロセス・デザイン・プラットフォームをベースに、インテル14nmプロセス・テクノロジ向けの設計ツールとIPを実現した。

インテルのTri-Gateテクノロジは、トランジスタの3面全てを囲んだゲート・チャネルを持つ同社独自の3Dトランジスタ・テクノロジである。このテクノロジを活用すれば、従来のトランジスタ構造と比較して性能、消費電力、面積を格段に向上させることができる。14nm ならびに22nm対応のIntel Custom Foundryデザイン・プラットフォーム実現に向けたインテルとシノプシスの協業により、設計者は、クラウド・インフラ機器やモバイル機器の開発に向けてインテル Tri-Gateテクノロジのメリットを活用できるようになる。

Intel Custom Foundryデザイン・プラットフォームを実現するGalaxyデザイン・プラットフォーム構成ツールは、論理合成と配置配線を実行する Design CompilerとIC Compiler、スタティックタイミング解析ツール PrimeTime、フィジカル検証ツール IC Validator、回路シミュレータのHSPICEならびにCustomSim、RC抽出ツール StarRC、カスタム・レイアウト・ツール Galaxy Custom Designerである。Galaxyデザイン・プラットフォームは、各ツール間のタイトな統合により全体的なソリューションを提供し、シームレスな設計フローを実現する。インテルとシノプシスは、Tri-Gateデザインがもたらす課題を克服し、複雑性をモデリングできるツールの開発に向けて緊密に協業した。HSPICEによるデバイスのスタティスティカル・モデリング機能、StarRCのイクストラクション・モデリング機能の向上、14nm ならびに22nmの最先端ノードに対応したIC Compilerによる複雑な新しい配線ルールのサポートとバリエーション考慮の配線後最適化機能などである。

シノプシスとインテルは、インテルのTri-Gateプロセスに最適化されたDesignWare Memory CompilerならびにDDR3/2 PHYなど、22nmシリコン実証済みIPの提供に向けて協業を重ねてきた。これらは、Tri-Gateプロセス・テクノロジに対応した業界初の商用IPとなった。今回の協業では、これをさらに発展させ、Intel Custom Foundry 14nm Tri-Gateテクノロジ対応のDesignWare Memory Compilerを実現した。これにより、低消費電力特性を維持した超高性能なデザインが可能となった。

Intel Custom Foundry 22nm Tri-Gateシリコンで2133Mbpsで実行した DesignWare DDR3 PHYのアイ・ダイアグラム